वाष्प कक्षकूलिंग मॉड्यूल एक निर्वात कक्ष है जिसकी भीतरी दीवार पर सूक्ष्म संरचना होती है, जो आमतौर पर तांबे से बनी होती है। जब ऊष्मा को ऊष्मा स्रोत से वाष्पीकरण क्षेत्र में स्थानांतरित किया जाता है, तो वाष्प कक्ष गुहा में शीतलक कम वैक्यूम वातावरण में गर्म होने के बाद वाष्पीकृत होना शुरू हो जाता है। इस समय, ऊष्मा अवशोषित होती है और आयतन तेजी से फैलता है। गैस चरण शीतलन माध्यम तेजी से पूरे वाष्प कक्ष गुहा को भर देता है। जब गैस चरण का कार्यशील माध्यम अपेक्षाकृत ठंडे क्षेत्र से संपर्क करता है, तो संघनन घटित होगा। वाष्पीकरण के दौरान जमा हुई गर्मी संक्षेपण द्वारा जारी की जाती है, और संघनित शीतलक सूक्ष्म संरचना केशिका पाइप के माध्यम से वाष्पीकरण गर्मी स्रोत में वापस आ जाएगा। यह कार्रवाई चैंबर में दोहराई जाएगी।
सामग्री: आमतौर पर तांबे से बनी होती है
संरचना: भीतरी दीवार पर सूक्ष्म संरचना के साथ निर्वात कक्ष
मुख्य रूप से उपयोग किया जाता है: सर्वर, हाई-एंड ग्राफिक्स कार्ड और अन्य उत्पाद
थर्मल प्रतिरोध मान: 0.25 डिग्री/डब्ल्यू
अनुप्रयोग तापमान: 0 डिग्री ~150 डिग्री
वीसी हीटसिंक प्लेट का उपयोग आमतौर पर उन इलेक्ट्रॉनिक उत्पादों के लिए किया जाता है जिनमें छोटी मात्रा या तेजी से गर्मी अपव्यय की आवश्यकता होती है। वर्तमान में, इसका उपयोग मुख्य रूप से सर्वर, हाई-एंड ग्राफिक्स कार्ड और अन्य उत्पादों में किया जाता है। यह हीट पाइप का एक मजबूत प्रतियोगी है। वीसी हीटसिंक प्लेट दिखने में एक सपाट प्लेट होती है, जिसमें ऊपर और नीचे एक-दूसरे को बंद करने के लिए एक कवर होता है,
यह तांबे के स्तंभों द्वारा समर्थित है। होमोजेनाइजिंग प्लेट की ऊपरी और निचली तांबे की चादरें ऑक्सीजन मुक्त तांबे से बनी होती हैं, आमतौर पर काम करने वाले तरल पदार्थ के रूप में शुद्ध पानी होता है, और केशिका संरचना तांबे के पाउडर सिंटरिंग या तांबे की जाली से बनी होती है। जब तक वाष्प कक्ष प्लेट अपनी सपाट प्लेट विशेषताओं को बनाए रखती है, तब तक आकार की रूपरेखा बहुत अधिक प्रतिबंध के बिना, लागू गर्मी अपव्यय मॉड्यूल के वातावरण पर निर्भर करती है, और उपयोग करते समय प्लेसमेंट कोण पर कोई प्रतिबंध नहीं होता है। व्यावहारिक अनुप्रयोग में, फ्लैट प्लेट पर किन्हीं दो बिंदुओं पर मापा गया तापमान अंतर 1 0 डिग्री से कम हो सकता है, जो ताप स्रोत पर ताप पाइप के ताप संचालन प्रभाव से अधिक समान है, इसलिए इसका नाम वाष्प कक्ष प्लेट. सामान्य तापमान समकारी प्लेट का तापीय प्रतिरोध 0.25 डिग्री/डब्ल्यू है, जिसका उपयोग 0 डिग्री ~150 डिग्री पर किया जाता है।
जमने के चार मुख्य चरण हैं। वाष्प कक्ष एक दो चरण वाला तरल उपकरण है जो सूक्ष्म संरचनाओं से भरे बर्तन में शुद्ध पानी डालने से बनता है। ऊष्मा बाहरी उच्च तापमान क्षेत्र से ताप संचालन के माध्यम से प्लेट में प्रवेश करती है। बिंदु ताप स्रोत के आसपास का पानी तेजी से गर्मी को अवशोषित करेगा और भाप में बदल जाएगा, जिससे बड़ी मात्रा में गर्मी दूर हो जाएगी। जलवाष्प की गुप्त ऊष्मा का पुन: उपयोग करें। जब बोर्ड में भाप उच्च दबाव क्षेत्र से निम्न दबाव क्षेत्र (यानी कम तापमान क्षेत्र) में फैलती है, और भाप कम तापमान के साथ आंतरिक दीवार से संपर्क करती है, तो जल वाष्प जल्दी से तरल में संघनित हो जाएगा और गर्मी ऊर्जा जारी करेगा। गर्मी हस्तांतरण चक्र को पूरा करने के लिए सूक्ष्म संरचना की केशिका क्रिया द्वारा संघनित पानी वापस गर्मी स्रोत बिंदु पर प्रवाहित होता है, जिससे दो-चरण चक्र प्रणाली बनती है जहां पानी और भाप सह-अस्तित्व में होते हैं। वाष्प कक्ष में पानी का गैसीकरण जारी रहता है, और तापमान में परिवर्तन के साथ कक्ष में दबाव संतुलन बनाए रखेगा।
जब पानी कम तापमान पर संचालित होता है तो उसका ऊष्मा चालन गुणांक कम होता है, लेकिन क्योंकि तापमान के साथ पानी की चिपचिपाहट बदल जाएगी, वाष्प कक्ष 5 डिग्री या 10 डिग्री पर भी काम कर सकता है। चूंकि तरल भाटा केशिका बल से प्रभावित होता है, वाष्प कक्ष गुरुत्वाकर्षण से कम प्रभावित होता है, और एप्लिकेशन सिस्टम डिज़ाइन स्थान का उपयोग किसी भी कोण पर किया जा सकता है। वाष्प कक्ष बिजली की आपूर्ति या किसी गतिशील घटक के बिना पूरी तरह से सीलबंद निष्क्रिय उपकरण है।
तांबे की जाली का प्रसार बंधन और समग्र सूक्ष्म संरचना
ऊष्मा चालन ट्यूब, वाष्प कक्ष से भिन्नशीतलन मॉड्यूलइसे पहले वैक्यूम करके और फिर शुद्ध पानी डालकर बनाया जाता है, ताकि सभी सूक्ष्म संरचनाओं को भरा जा सके। भरा हुआ माध्यम मेथनॉल, अल्कोहल, एसीटोन इत्यादि का उपयोग नहीं करता है, बल्कि विघटित शुद्ध पानी का उपयोग करता है, इसलिए कोई पर्यावरणीय समस्या नहीं होगी, और वाष्प कक्ष की दक्षता और स्थायित्व में सुधार किया जा सकता है।
होमोजेनाइजिंग प्लेट में मुख्य रूप से दो प्रकार के माइक्रोस्ट्रक्चर होते हैं: पाउडर सिंटरिंग और मल्टी-लेयर कॉपर जाल, दोनों का प्रभाव समान होता है। हालाँकि, पाउडर सिंटर माइक्रोस्ट्रक्चर की पाउडर गुणवत्ता और सिंटरिंग गुणवत्ता को नियंत्रित करना आसान नहीं है, जबकि मल्टीलेयर कॉपर मेष माइक्रोस्ट्रक्चर को प्रसार बंधन वाष्प कक्ष के ऊपर और नीचे तांबे की शीट और तांबे की जाली के साथ लगाया जाता है, और इसकी एपर्चर स्थिरता और नियंत्रणीयता होती है। पाउडर सिंटेड माइक्रोस्ट्रक्चर से बेहतर, और गुणवत्ता अधिक स्थिर है। उच्च स्थिरता तरल प्रवाह को अधिक सुचारू बना सकती है, जो माइक्रोस्ट्रक्चर की मोटाई और वाष्प कक्ष की मोटाई को काफी कम कर सकती है।
उद्योग में 150W ताप अंतरण पर प्लेट की मोटाई 3.{1}}मिमी है। क्योंकि तांबे के पाउडर से बने माइक्रोस्ट्रक्चर के साथ वाष्प कक्ष की गुणवत्ता को नियंत्रित करना आसान नहीं है, समग्र गर्मी लंपटता मॉड्यूल को आमतौर पर गर्मी चालन ट्यूबों के डिजाइन द्वारा पूरक करने की आवश्यकता होती है।
प्रसार बंधन के साथ बहु-परत तांबे के जाल की बंधन शक्ति आधार धातु के समान है। इसकी उच्च वायु जकड़न के कारण, इसे किसी सोल्डर की आवश्यकता नहीं है, और बॉन्डिंग प्रक्रिया के दौरान कोई सूक्ष्म संरचना रुकावट नहीं होगी। डिफ्यूजन बॉन्डिंग से बने वाष्प कक्ष की गुणवत्ता बेहतर और सेवा जीवन लंबा होता है।
यदि डिफ्यूजन बॉन्डिंग विधि द्वारा निर्माण के बाद छेद लीक हो जाता है, तो इसे दोबारा काम करके भी ठीक किया जा सकता है। मल्टी-लेयर कॉपर जाल के प्रसार बंधन के अलावा, गर्मी स्रोत के पास छोटे एपर्चर तांबे के जाल को जोड़ने के वाष्प कक्ष डिजाइन से वाष्पीकरण क्षेत्र में शुद्ध पानी तेजी से भर सकता है और समग्र वाष्प कक्ष का परिसंचरण अधिक सुचारू हो सकता है।
इसके अलावा, सूक्ष्म संरचना को एक क्षेत्रीय डिजाइन में मॉड्यूलर किया गया है, जिसे कई ताप स्रोतों के ताप अपव्यय डिजाइन पर लागू किया जा सकता है। इसलिए, प्रसार बंधन और क्षेत्रीय पदानुक्रमित डिजाइन द्वारा डिजाइन किए गए वाष्प कक्ष के प्रति इकाई क्षेत्र में गर्मी प्रवाह में काफी वृद्धि हुई है, और गर्मी हस्तांतरण प्रभाव पापी माइक्रोस्ट्रक्चर होमोजेनाइजिंग प्लेट की तुलना में बेहतर है।
कम्प्यूटर में तापमान समकारी प्लेट का अनुप्रयोग
अपेक्षाकृत परिपक्व तकनीक और हीट पाइप की कम लागत के कारण, वाष्प कक्ष हीटसिंक की वर्तमान बाजार प्रतिस्पर्धा अभी भी हीट पाइप से कम है।
हालाँकि, वाष्प कक्ष की तेजी से गर्मी अपव्यय विशेषताओं के कारण, इसका वर्तमान अनुप्रयोग उस बाजार पर लक्षित है जहां सीपीयू या जीपीयू जैसे इलेक्ट्रॉनिक उत्पादों की बिजली खपत 80W ~ 100W से अधिक है। इसलिए, वाष्प कक्ष ज्यादातर अनुकूलित उत्पाद हैं, जो छोटी मात्रा या तेजी से गर्मी अपव्यय की आवश्यकता वाले इलेक्ट्रॉनिक उत्पादों के लिए उपयुक्त हैं। वर्तमान में, इसका उपयोग मुख्य रूप से सर्वर, हाई-एंड ग्राफिक्स कार्ड और अन्य उत्पादों में किया जाता है। भविष्य में, इसका उपयोग उच्च-क्रम के दूरसंचार उपकरण, उच्च-शक्ति एलईडी प्रकाश व्यवस्था और अन्य ताप अपव्यय में भी किया जा सकता है।
वाष्प कक्ष का भविष्य का विकास
वर्तमान में, वाष्प कक्ष की द्वि-आयामी ताप अपव्यय केशिका संरचना के निर्माण की मुख्य विधियों में सिंटरिंग, तांबे की जाली, नाली, धातु फिल्म आदि शामिल हैं।
तकनीकी विकास के संदर्भ में, वाष्प कक्ष के थर्मल प्रतिरोध को और कैसे कम किया जाए और भविष्य में इसके ताप संचालन प्रभाव को कैसे बढ़ाया जाए, ताकि एल्यूमीनियम जैसे हल्के पंखों से मेल खाया जा सके, हमेशा शोधकर्ताओं का लक्ष्य रहा है। उत्पादन के संदर्भ में, उत्पादन उपज में सुधार करना और समग्र शीतलन समाधानों की लागत को कम करने के तरीके खोजना औद्योगिक विकास की दिशा है।
उत्पाद अनुप्रयोग के संदर्भ में, वाष्प कक्ष ताप पाइप की तुलना में एक-आयामी से दो-आयामी ताप संचालन तक विस्तारित हो गया है।
भविष्य में, अन्य संभावित ताप अपव्यय अनुप्रयोगों को हल करने के लिए, वाष्प कक्ष समाधान को क्रमिक रूप से विकसित किया जा रहा है।
निष्कर्ष:
वाष्प कक्ष एक प्रकार का सपाट ताप पाइप है, जो ताप स्रोत की सतह पर एकत्र ताप प्रवाह को जल्दी से स्थानांतरित कर सकता है और इसे संक्षेपण सतह के बड़े क्षेत्र में फैला सकता है, इस प्रकार ताप उत्सर्जन को बढ़ावा देता है और घटक सतह के ताप प्रवाह घनत्व को कम करता है। .
वाष्प कक्ष की संरचना: एक पूरी तरह से बंद सपाट गुहा एक निचली प्लेट, एक फ्रेम और एक कवर प्लेट से बनी होती है। गुहा के अंदर की दीवार तरल अवशोषित केशिका कोर संरचना से सुसज्जित है। केशिका कोर संरचना एक धातु तार जाल, एक सूक्ष्म नाली, एक फाइबर तार, या एक धातु पाउडर sintered कोर और कई संरचना संयोजन हो सकती है। यदि आवश्यक हो, तो वैक्यूम सक्शन के कारण अवसाद और हीटिंग के कारण होने वाली विकृति को दूर करने के लिए कक्ष के अंदर एक सहायक संरचना स्थापित की जाएगी।
वाष्प कक्ष के लाभ: छोटा आकार हीटसिंक को प्रवेश स्तर की कम बिजली खपत जितना पतला बना सकता है; ऊष्मा चालन तेज़ है, और ऊष्मा संचय करना आसान नहीं है। आकार सीमित नहीं है, और विभिन्न ताप अपव्यय वातावरणों के अनुकूल होने के लिए यह चौकोर, गोल आदि हो सकता है। कम प्रारंभिक तापमान; उच्च ताप अंतरण गति; अच्छा तापमान समकारी प्रदर्शन; उच्च उत्पादन शक्ति; कम विनिर्माण लागत; लंबी सेवा जीवन; हल्का वज़न.
कंप्यूटर क्षेत्र में वाष्प कक्ष का अनुप्रयोग: अधिकांश वाष्प कक्ष अनुकूलित उत्पाद हैं, जो छोटी मात्रा या तीव्र ताप अपव्यय की आवश्यकता वाले इलेक्ट्रॉनिक उत्पादों के लिए उपयुक्त हैं। वर्तमान में, इसका उपयोग मुख्य रूप से सर्वर, टैबलेट, हाई-एंड ग्राफिक्स कार्ड और अन्य उत्पादों में किया जाता है। भविष्य में, इसका उपयोग उच्च-क्रम के दूरसंचार उपकरण, उच्च-शक्ति एलईडी प्रकाश व्यवस्था और अन्य ताप अपव्यय में भी किया जा सकता है।
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